|
|
Г.П. Шпеньков
Субэлектронные частицы – составляющие электрона
СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение.
2. Открытие микролептонов.
3. Практическое использование микролептонов.
4. Источник происхождения микролептонов и причина воздействия их на электронные приборы.
5. Выводы и заключение.
Ссылки
Введение
В опубликованной 22.09.2020 на странице в Интернете статье «О неизвестных ранее ключевых фундаментальных физических параметрах-постоянных: Открытия Динамической Модели» [1] (раздел 13, стр. 12) написано следующее:
«... размер электрона относится к размерам его составляющих базовых элементарных частиц, как размер Земли относится к размеру его базовых частиц – гравитонов-нуклонов (протонов и нейтронов). Отдельные внутренние оболочки электрона с определенной дискретной структурой представляют внутреннюю структуру электрона; и его дискретные структурные элементы могут быть в несколько раз меньше, чем сам электрон».
Это означает, что размер базовых (устойчивых) элементарных частиц, из которых состоит электрон, т. е., субэлектронных частиц, меньше примерно в 1017 раз в сравнении с размером электрона.
Спустя месяц, 21.10.2020, в Интернете появился видеоролик лекции Григория Федоровича Савельева «Микролептоны - микролептонные поля и взаимодействия», записанной Ярославом Петровичем Старухиным («Глобальная волна») [2].
Григорий Федорович рассказал о содержании опубликованной им недавно книги [3], посвящённой профессору А. Ф. Охатрину (4.10.1925 – 07.01.2002), и привёл факты, о которых я не знал до сих пор.
Меня заинтересовала лекция. В ней речь шла об экспериментах с частицами, названных микролептонами, которые по своим параметрам, свойствам и поведению относятся к субэлектронным частицам, а следовательно, являются частицами того же класса, о которых говорится в приведённой выше выдержке из статьи [1].
Прослушав лекцию, захотелось высказать свои соображения об источнике происхождения микролептонов и механизме воздействия пучка микролептонов на электронные приборы. Этому и посвящен данный видеоролик.
Открытие микролептонов
А. Ф. Охатриным и В. Ю. Татур впервые была высказана гипотеза о существовании класса сверхлегких устойчивых частиц – микролептонов, которые являясь неотъемлемой частью объектов тем не менее находятся вне осязаемой, воспринимаемой оболочки [4]. Приведены основные характеристики микролептонов [5]. По размеру и поведению они относятся к классу всепроникающих нейтральных частиц – нейтрино.
Г. Ф. Савельеву, и другим ученикам и коллегам А. Ф. Охатрина, удалось обнаружить микролептоны экспериментально и самое главное разработать метод регистрации полей разной природы, а также осуществить на основе этого метода множество прикладных задач [3].
Исследования Г. Ф. Савельева и его коллег показали, что микролептоны проникают через защитные экраны любой толщины, не взаимодействуют с электростатическим полем, но взаимодействуют с полем постоянного магнита, т. е., обладают магнитным моментом, имеют размеры, по их оценкам, порядка 10-39 – 10-41 см. Микролептоны легко собираются в кластеры.
По-видимому, частицы, о которых в приведенной выше выдержке из статьи [1] говорится как о составляющих электрона, и есть те самые микролептоны А. Ф. Охатрина, обнаруженные экспериментально Г. Ф. Савельевым и коллегами.
Отметим некоторые из твердо установленных экспериментально свойств микролептонов.
Во-первых, микролептоны – всепроникающие частицы. Они свободно проходят через любые преграды, как и нейтрино.
Во-вторых, микролептоны в пучке не отталкиваются друг от друга, а наоборот, стремятся к объединению, обладают свойством образовывать кластеры.
В-третьих, эксперимент показал, и это очень важно, на что я обратил также особое внимание, что воздействие пучка микролептонов выводит из строя электронные приборы.
Эффект пагубного влияния пучка микролептонов на электронные приборы, делающего их неактивными, оказался неожиданным. Как предположили, обусловлен он воздействием микролептонов на элементы полупроводниковой микроэлектроники, на базе которых изготовлены приборы. Однако, механизм указанного воздействия не был выяснен. Тем не менее, как сообщает Г. Ф. Савельев [2], обнаруженный факт был сразу использован на практике.
Практическое использование микролептонов
На Рис. 1 представлена схема малогабаритного высокоградиентного линейного высокочастотного ускорителя ионов на основе встроенных вложенных один в другой четвертьволновых коаксиальных резонаторов с добротностью от 5500 до 8000 ед. Аппарат был разработан, изготовлен и прошёл испытания в 1985 году [3].
|
| |
Рис. 1. Схема линейного СВЧ-ускорителя на основе встроенных резонаторов с расположенным на пути пучка ионов непроницаемым для них экраном – толстой металлической пластины [3]: 1-Гин, 2-Коаксиальная линия, 3-Электронная пушка, 4-Катушка ведущего магнитного поля, 5-Инжектор ионов, 6-Анализатор ионов, 7-Измеритель напряжения, 8- Измеритель тока диода, 9-Резонатор, 10-Измеритель тока в резонаторе, 11-Электростатический датчик, 12-Катушка магнитного гофра.
Аппарат, генерирующий пучок микролептонов (МЛ), был выведен на околоземную орбиту, как рассказал Г. Ф. Савельев, и испытан там на реальных объектах – неработающих спутниках, излучающих какие-то сигналы, создавая помехи связи с активными спутниками. Пучок МЛ направляли на такие спутники, и генерация сигналов от них прекращалась. Таким образом, свободно проходя сквозь спутник-мишень, через всю его плотноматериальную конструкцию, как через пустое пространство, частицы пучка МЛ тем не менее воздействовали на радиоэлектронную аппаратуру, остававшуюся активной у вышедших из строя спутников, в результате последние переставали работать.
Устранялся полностью электромагнитный шум – прекращалась генерация ненужных сигналов от оставшихся на борту данных спутников некоторых исправных электронных приборов, мешающих приему-передаче сигналов на определённых частотах активным спутникам. Об этом и других применениях пучка МЛ и решении других задач можно узнать, прослушав лекцию Г. Ф. Савельева [2] или прочитав его книгу [3].
Источник происхождения микролептонов и причина воздействия их на электронные приборы
Итак, ионы, разогнанные в ускорителе до высоких скоростей, приобретают огромную энергию. Их воздействие на металлические экраны любой толщины приводит к излучению из экрана пучка сверхлёгких частиц – микролептонов.
Какова природа их происхождения? Что является источником излучения микролептонов? Каков механизм влияния микролептонов на работу элементов микроэлектроники?
При рассмотрении этих вопросов буду опираться на представления о строении атомов и их составляющих-частиц, которые следуют из теорий Волновой Модели – Динамической Модели элементарных частиц [6] и Оболочечно-Узловой (молекулярно-подобной) модели атомов [7].
В соответствие с Волновой Моделью атомы являются волновыми образованиями и имеют оболочечно-узловое (молекулярно-подобное) строение.
Схематически, законченные волновые оболочки “атомов” элементов таблицы Менделеева с расположенными в них главными полярно-азимутальными потенциальными узлами представлены на Рис. 2 [8].
В каждом из указанных узлов (отмечены на рисунке тёмными пронумерованными кружками) располагается, как правило, пара нуклонов (но не более).
На рисунке указаны символы «атомов», внешние волновые оболочки которых (узловая структура) полностью сформированы, а также «атомов» (указанных в пунктирных кругах), принадлежащих группам m=±2 – m=±4, внешние волновые оболочками которых повторяют узловую структуру полностью сформированных внешних волновых оболочек атомов этих групп вышележащих рядов.
Полный текст доступен в формате PDF (821Кб)
Г.П. Шпеньков, Микролептоны // «Академия Тринитаризма», М.,
 |