В докладе представлены общие принципы использования случайных процессов для регистрации неэлектромагнитного воздействия. В качестве рецепторов неэлектромагнитного воздействия использовались различные электротехнические системы, регистрирующие процесс радиоактивного распада (РР). Были обнаружены эффекты воздействия неэлектромагнитного генератора «НГК-ВЕГА» на процесс РР. В работе представлены результаты обнаружения информационных свойств электрического тока.

Неэлектромагнитная кибернетика рассматривает неэлектромагнитные взаимодействия как информационные, что позволяет применять в экспериментальной практике их регистрирования разнообразные случайные процессы через обнаружение изменений их вероятностных характеристик с применением методов статистического анализа данных. Способность случайных процессов обнаруживать оказываемые на них воздействия неэлектромагнитной природы и позволяет характеризовать их как информационные. В нашей лаборатории применяются для данных целей следующие случайные процессы – генераторы хаотических электрических импульсов (1/f шум) и различные электротехнические схемы, регистрирующие процесс РР на основе разнообразных счетчиков: от Гейгера до полупроводниковых устройств [1].

Использование случайного процесса РР для обнаружения неэлектромагнитных взаимодействий сводится к регистрации временного ряда событий – промежутков времени набора строго заданного числа регистрируемых радиоактивных частиц. В свою очередь, дальнейшее математическое исследование изменений вероятностных характеристик полученных временных рядов позволяет обнаруживать наличие воздействий неэлектромагнитной природы, оказываемых на процесс. Целью метода является регистрация изменения дисперсии контролируемого параметра.

Неэлектромагнитное информационное воздействие (НИВ) имеет два знака возможного влияния на используемые рецепторы. Структурирующее пространство внешнее НИВ, обусловленное ростом в данной области пространства неэлектромагнитной информации (НИ), приводит к снижению дисперсии контролируемого сигнала рецептора. Наоборот, отток из пространства, в силу определенных причин, неэлектромагнитной информационной составляющей (деструктурирующее пространство внешнее НИВ) приводит к росту дисперсии контролируемого параметра рецепторной системы.

На рисунках 1, 2 показаны примеры подобных НИВ обоих знаков. Рисунок 1 наглядно демонстрирует результаты эксперимента в необработанном математическим аппаратом виде, как регистрируемый сигнал. Видно, что между вертикальными линиями, соответствующими началу и концу НИВ, есть некоторое снижение разброса данных или снижение дисперсии регистрируемого сигнала. Рисунок 2 представляет собой эксперимент, противоположный по знаку воздействия предыдущему НИВ. Обращает на себя внимание увеличение разброса данных под деструктурирующим неэлектромагнитным воздействием. НИВ были вызваны разработанным в нашей лаборатории устройством «НГК-ВЕГА».

формате PDF (951Кб)