Аннотация.

Случайное обнаружение потенциального магнитного поля затруднено. Приводится описание четырёх серий целенаправленных опытов, основывающихся на обнаружении потенциального магнитного поля посредством регистрации охлаждения им полупроводникового кристалла стабилитрона.

В [1], [2] изложены теоретические основы образования потенциального магнитного поля (ПМП). Как показали опыты, на подвешенный проводник с током в нём, стационарное ПМП продольной силой не воздействует. Полученные токовыми электронами дополнительный продольный импульс не передаётся кристаллической решётке, а образует дополнительный ток электрических зарядов, аналогичный по своей сути поперечному холловскому. Не взаимодействует ПМП и с магнитом. Стрелка компаса на него не реагирует.

Вблизи переменных центрально-симметричных токов, создаваемое безвихревым видом электромагнитной индукции электрическое поле с разомкнутыми силовыми линиями (rotE = 0), не наводит электродвижущую силу в замкнутом проводнике.

Приведенные свойства ПМП препятствовали случайному его обнаружению. Обойдены они были автором в целенаправленных опытах по регистрации тепловых эффектов.

Для обнаружения стационарного ПМП использовался магнито-термический эффект (МТЭ), аналогичный известному охлаждению электропроводника циркуляционным магнитным полем. Уменьшение температуры электропроводника объясняется уменьшением энтропии системы движущихся электронов в нём в связи с некоторым упорядочением их движения магнитным полем.

На рисунке 1 показана схема первой серии опытов и типичная диаграмма изменения омического сопротивления стабилитрона в ходе их осуществления.

Рис.1

Источником стационарного потенциального магнитного поля были разнесённые центрально-симетричные токи, являющиеся фрагментом системы стационарных противотоков в паре рядом расположенных в одной плоскости прямоугольных многовитковых (n = 300) рамок (-i = 0,55 А в каждой).

В качестве тела, подвергавшегося воздействию ПМП, использовался полупроводниковый кристалл стабилитрона, обладающий в десятки раз большим коэффициентом подвижности электронов, по сравнению с медным проводником. Наличие у используемого стабилитрона сильной температурно-омической связи (200 кОм/град. в обратном направлении в интервале 0,6...1,9 мОм) позволяло фиксировать охлаждение кристалла по регистрируемому цифровым омметром (DT890B) увеличению омического сопротивления стабилитрона.

Стабилитрон, помещённый в латунной экранирующей втулке, располагался на линии симметрии пары рамок, где геометрическое суммирование магнитных векторов циркуляционного магнитного поля даёт в итоге нуль-векторы. Практически отсутствие циркуляционного магнитного поля подтверждалось поведением стрелки миниатюрного магнитного компаса.

С целью разделения во времени магнитного охлаждения кристалла стабилитрона и его нагрева джоулевым теплом (НДТ) использовался термозащитный кожух, выполненный из алебастра (m = 0,5…0,8 кг). И дополняющие его керамические плитки. Свободно пропуская магнитное поле, они в значительной мере аккумулировали первоначальный слабый поток джоулева тепла, задерживая на некоторое время его заметное влияние на стабилитрон.

В начале каждого опыта, в отсутствии исследуемого поля, оценивалась теплообменная ситуация между стабилитроном и окружающим пространством (зона I графиков).

Горизонтальность ломаной линии на первом участке графика указывает на неизменность во времени температуры стабилитрона.

В зоне II подъём ломаной линии графика над горизонтальной средней линией свидетельствует об увеличении омического сопротивления стабилитрона под воздействием магнитного охлаждения. Этот результат является опытным доказательством образования разнесёнными центрально-симметричными токами потенциального магнитного поля. Иного объяснения наблюдаемому факту автор не находит.

В ряде опытов экранирующая латунная втулка с стабилитроном размещалась внутри толстостенной стальной втулки (d = 1, 4 см, D = 3, 2 см., ℓ = 6, 5 см.). Однако проявление МТЭ по-прежнему имело место, что подтверждает естественное предположение об отсутствии взаимодействия стационарного потенциального магнитного поля с спиновыми магнитными моментами ферромагнитного материала.

В зоне III проявлялось преимущественное влияние джоулева тепла, образуемого токами в рамках. Ломаная линия графика уходит вниз вследствие нагрева экранирующей втулки и стабилитрона тепловым потоком, преодолевшим теплоинерционную защиту.

На рисунке 2 изображена схема второй серии опытов. В отличии от первой, стационарные токи в рамках (-i = 0,55 А в каждой) имеют одинаковые направления, вследствие чего на линии симметрии рамок образуется циркуляционное магнитное поле.

Рис.2

Интервалы времени до начала нагрева стабилитрона джоулевым теплом противонаправленных и однонаправленных токов сопоставимы между собой. Заметного охлаждения кристалла стабилитрона циркуляционным магнитным полем не зарегистрировано.

Источником потенциального магнитного поля в третьей серии опытов были совмещённые противотоки в двух коаксиальных кабелях, каждый из которых наматывался на катушку (Рис.3).

Рис.3

Во внешнем пространстве магнитные поля центрального провода и цилиндрической оплётки при геометрическом суммировании дают везде в итоге нуль-векторы, тогда как магнитная энергия там имеется. Коаксиальный кабель является магнитным монополем, у которого можно изменять знак условного магнитного заряда. При одинаковых условных магнитных зарядах МТЭ больше.

В четвёртой серии опытов совмещенные противотоки образовывались в двух плоских трёхслойных проводниках. Каждый выполнялся из трёх латунных лент (0,07 х 72 мм.), разделённых между собой скотчем. Противотоки имели место в средней и двух наружных лентах. Трёхслойные проводники сворачивались в подобие уплощённого овала и располагались в опытах по аналогии с катушками из коаксиального кабеля.

Во всех сериях опытов с совмещёнными противотоками наблюдалось увеличение омического сопротивления стабилитрона, свидетельствующее об охлаждении его кристалла.

Особо подчеркнём. При переменных совмещённых противотоках переменное потенциальное магнитное поле не образуется вследствие отсутствия механизма обмена электромагнитной энергией между внешним полем и его источником.

1.http://www.trinitas.ru/rus/doc/0016/001c/00161436.pdf.

2.http://www.trinitas.ru/rus/doc/0016/001c/00161443.pdf